Tecnologia industrial II (Bloc 2) ~ gener 2020: Fórmules i conceptes | ioc-batx

Sistemes electrònics analògics

Díodes
Tensió llindar dels díodes	U_D ≈ 0,7 V (díodes de silici) U_D≈ 0,3 V (díodes de germani)	U_D = Caiguda de tensió quan el díode està conduint = polarització directa (V)
Tensió llindar dels díodes LED	U_D ≈ 1,5 a 2,5 V
Tensió llindar dels díodes Zener Tensió Zener	U_D ≈ 0,7 V U_Z = tensió segons la referencia del díode	U_Z = Tensió del díode Zener quan està polaritzat inversament

Rectificador de mitja ona
Tensió eficaç de sortida	$U indice Oef égal à numérateur de la fraction U indice Imax moins U indice D au-dessus du dénominateur 2 fin de la fraction$	U_Oef= Tensió eficaç de sortida (V) U_Imàx = Tensió màxima d’entrada (V)
Tensió mitjana de sortida	$U indice Omitjana espace égal à numérateur de la fraction U indice Imà x fin d'indice moins U indice D au-dessus du dénominateur simple pi fin de la fraction$	U_Omitjana = Tensió mitjana de sortida (V)

Rectificador ona completa amb pont de díodes (Graetz)
Tensió eficaç de sortida	$U indice Oef égal à numérateur de la fraction U indice Imax moins 2 U indice simple D au-dessus du dénominateur racine carrée de 2 fin de la fraction$	Els rectificadors amb presa intermèdia solament restarem la tensió d’un díode
Tensió mitjana de sortida	$U indice Omijana égal à numérateur de la fraction 2 parenthèse gauche U indice Imax moins 2 U simple D parenthèse droite au-dessus du dénominateur simple pi fin de la fraction$

Transistors
Tensió base emissor	$U indice BE espace presque égal à espace 0 virgule 7 espace V$	U_BE= Tensió base emissor (V) La mateixa que un díode
Tensió col·lector emissor en saturació	$U indice CEsat espace presque égal à espace 0 virgule 2 espace V$	U_CEsat= Tensió col·lector emissor en saturació (V)
Intensitat d’emissor	$I indice simple E espace égal à espace I indice simple C espace plus espace I indice simple B$	I_E = Intensitat d’emissor (A)
Factor d’amplificació	$beta égal à I indice C sur I indice B$	I_C = Intensitat de col·lector (A) I_B = Intensitat de base (A)
Guany	$alpha égal à I indice simple C sur I indice simple B$	β = Factor d’amplificador també h_FE(-) α = Guany de corrent (-)
Intensitat de col·lector	$I indice simple C espace espace égal à espace beta espace fois espace I indice simple B$
Potència dissipada en el transistor	$P indice simple T espace égal à espace U indice CE espace fois espace I indice C$	P_T = Potència dissipada en el transistor (W) U_CE= Tensió col·lector emissor (V)
Per la resolució dels circuits amb transistors s’ha de considerar les caigudes de tensió en les diferents branques del circuit. U = Σ R·I A la branca de R₂ U = R₂·I_B + U_BE + R₃·I_E A la branca de R1 U = R₁·I_C + U_CE + R₃·I_E Si a més considerem I_C = β · I_B I_E = I_C + I_B Podrem solucionar totes les incògnites.
En el cas que l'emissor no tingui resistència. A la branca de R₂ U = R₂·I_B + U_BE A la branca de R1 U = R₁·I_C + U_CE

Modifié le: vendredi 11 octobre 2019, 13:43