Sistemes electrònics analògics

Díodes
Tensió llindar dels díodesUD ≈ 0,7 V (díodes de silici) 
UD≈ 0,3 V (díodes de germani)

 

UD = Caiguda de tensió quan el díode està conduint = polarització directa (V)

Tensió llindar dels díodes LEDUD ≈ 1,5 a 2,5 V
Tensió llindar dels díodes Zener 
Tensió Zener
UD ≈ 0,7 V 
UZ = tensió segons la referencia del díode
UZ = Tensió del díode Zener quan està polaritzat inversament

Rectificador de mitja ona
Tensió eficaç de sortidaU subscript Oef equals fraction numerator U subscript Imax minus U subscript D over denominator 2 end fractionUOef = Tensió eficaç de sortida (V) 
UImàx = Tensió màxima d’entrada (V)
Tensió mitjana de sortidaU subscript Omitjana space equals fraction numerator U subscript Imà x end subscript minus U subscript D over denominator straight pi end fractionUOmitjana = Tensió mitjana de sortida (V)


Rectificador ona completa amb pont de díodes (Graetz)

Tensió eficaç de sortida

U subscript Oef equals fraction numerator U subscript Imax minus 2 U subscript straight D over denominator square root of 2 end fraction

Els rectificadors amb presa intermèdia solament restarem la tensió d’un díode

Tensió mitjana de sortida

U subscript Omijana equals fraction numerator 2 left parenthesis U subscript Imax minus 2 U straight D right parenthesis over denominator straight pi end fraction

Transistors

Tensió base emissor

U subscript BE space almost equal to space 0 comma 7 space V

UBE= Tensió base emissor (V)

La mateixa que un díode

Tensió col·lector emissor en saturació

U subscript CEsat space almost equal to space 0 comma 2 space V

UCEsat = Tensió col·lector emissor en saturació (V)

Intensitat d’emissor

I subscript straight E space equals space I subscript straight C space plus space I subscript straight B

IE = Intensitat d’emissor (A)

Factor d’amplificació

beta equals I subscript C over I subscript B

IC = Intensitat de col·lector (A)

IB = Intensitat de base (A)

Guany

alpha equals I subscript straight C over I subscript straight B

β = Factor d’amplificador també hFE (-)

α = Guany de corrent (-)

Intensitat de col·lector

I subscript straight C space space equals space beta space times space I subscript straight B

Potència dissipada en el transistor 

P subscript straight T space equals space U subscript CE space times space I subscript C

PT = Potència dissipada en el transistor (W)

UCE = Tensió col·lector emissor (V)

Per la resolució dels circuits amb transistors s’ha de considerar les caigudes de tensió en les diferents branques del circuit.

U = Σ R·I

A la branca de R2

U = R2·IB + UBE + R3·IE

A la branca de R1

U = R1·IC + UCE + R3·IE

Si a més considerem

IC = β · IB

IE = IC + IB

Podrem solucionar totes les incògnites.

En el cas que l'emissor no tingui resistència. 

A la branca de R2

U = R2·IB + UBE 

 A la branca de R1

U = R1·IC + UCE 



Last modified: Thursday, 2 April 2020, 9:46 AM