Sistemes electrònics analògics

Díodes
Tensió llindar dels díodesUD ≈ 0,7 V (díodes de silici) 
UD≈ 0,3 V (díodes de germani)

 

UD = Caiguda de tensió quan el díode està conduint = polarització directa (V)

Tensió llindar dels díodes LEDUD ≈ 1,5 a 2,5 V
Tensió llindar dels díodes Zener 
Tensió Zener
UD ≈ 0,7 V 
UZ = tensió segons la referencia del díode
UZ = Tensió del díode Zener quan està polaritzat inversament

Rectificador de mitja ona
Tensió eficaç de sortidaU unterer Index Oef gleich Zähler U unterer Index Imax minus U unterer Index D geteilt durch Nenner 2 BruchergebnisUOef = Tensió eficaç de sortida (V) 
UImàx = Tensió màxima d’entrada (V)
Tensió mitjana de sortidaU unterer Index Omitjana Leerzeichen gleich Zähler U unterer Index Imà x Ende unterer Index minus U unterer Index D geteilt durch Nenner gerade pi BruchergebnisUOmitjana = Tensió mitjana de sortida (V)


Rectificador ona completa amb pont de díodes (Graetz)

Tensió eficaç de sortida

U unterer Index Oef gleich Zähler U unterer Index Imax minus 2 U unterer Index gerade D geteilt durch Nenner Quadratwurzel aus 2 Bruchergebnis

Els rectificadors amb presa intermèdia solament restarem la tensió d’un díode

Tensió mitjana de sortida

U unterer Index Omijana gleich Zähler 2 linke klammer U unterer Index Imax minus 2 U gerade D rechte klammer geteilt durch Nenner gerade pi Bruchergebnis

Transistors

Tensió base emissor

U unterer Index BE Leerzeichen fast gleich Leerzeichen 0 Komma 7 Leerzeichen V

UBE= Tensió base emissor (V)

La mateixa que un díode

Tensió col·lector emissor en saturació

U unterer Index CEsat Leerzeichen fast gleich Leerzeichen 0 Komma 2 Leerzeichen V

UCEsat = Tensió col·lector emissor en saturació (V)

Intensitat d’emissor

I unterer Index gerade E Leerzeichen gleich Leerzeichen I unterer Index gerade C Leerzeichen plus Leerzeichen I unterer Index gerade B

IE = Intensitat d’emissor (A)

Factor d’amplificació

beta gleich I unterer Index C geteilt durch I unterer Index B

IC = Intensitat de col·lector (A)

IB = Intensitat de base (A)

Guany

alpha gleich I unterer Index gerade C geteilt durch I unterer Index gerade B

β = Factor d’amplificador també hFE (-)

α = Guany de corrent (-)

Intensitat de col·lector

I unterer Index gerade C Leerzeichen Leerzeichen gleich Leerzeichen beta Leerzeichen mal Leerzeichen I unterer Index gerade B

Potència dissipada en el transistor 

P unterer Index gerade T Leerzeichen gleich Leerzeichen U unterer Index CE Leerzeichen mal Leerzeichen I unterer Index C

PT = Potència dissipada en el transistor (W)

UCE = Tensió col·lector emissor (V)

Per la resolució dels circuits amb transistors s’ha de considerar les caigudes de tensió en les diferents branques del circuit.

U = Σ R·I

A la branca de R2

U = R2·IB + UBE + R3·IE

A la branca de R1

U = R1·IC + UCE + R3·IE

Si a més considerem

IC = β · IB

IE = IC + IB

Podrem solucionar totes les incògnites.

En el cas que l'emissor no tingui resistència. 

A la branca de R2

U = R2·IB + UBE 

 A la branca de R1

U = R1·IC + UCE 



Zuletzt geändert: Donnerstag, 2. April 2020, 09:46