Sistemes electrònics analògics

Díodes
Tensió llindar dels díodesUD ≈ 0,7 V (díodes de silici) 
UD≈ 0,3 V (díodes de germani)

 

UD = Caiguda de tensió quan el díode està conduint = polarització directa (V)

Tensió llindar dels díodes LEDUD ≈ 1,5 a 2,5 V
Tensió llindar dels díodes Zener 
Tensió Zener		UD ≈ 0,7 V 
UZ = tensió segons la referencia del díode		UZ = Tensió del díode Zener quan està polaritzat inversament

Rectificador de mitja ona
Tensió eficaç de sortidaU subíndex Oef igual fracció numerador U subíndex Imax menys U subíndex D entre denominador 2 fi fraccióUOef = Tensió eficaç de sortida (V) 
UImàx = Tensió màxima d’entrada (V)
Tensió mitjana de sortidaU subíndex Omitjana espai igual fracció numerador U subíndex Imà x fi subíndex menys U subíndex D entre denominador normal pi fi fraccióUOmitjana = Tensió mitjana de sortida (V)


Rectificador ona completa amb pont de díodes (Graetz)

Tensió eficaç de sortida

U subíndex Oef igual fracció numerador U subíndex Imax menys 2 U subíndex normal D entre denominador arrel quadrada de 2 fi fracció

Els rectificadors amb presa intermèdia solament restarem la tensió d’un díode

Tensió mitjana de sortida

U subíndex Omijana igual fracció numerador 2 parèntesi esquerre U subíndex Imax menys 2 U normal D parèntesi dret entre denominador normal pi fi fracció

Transistors

Tensió base emissor

U subíndex BE espai quasi igual a espai 0 coma 7 espai V

UBE= Tensió base emissor (V)

La mateixa que un díode

Tensió col·lector emissor en saturació

U subíndex CEsat espai quasi igual a espai 0 coma 2 espai V

UCEsat = Tensió col·lector emissor en saturació (V)

Intensitat d’emissor

I subíndex normal E espai igual espai I subíndex normal C espai més espai I subíndex normal B

IE = Intensitat d’emissor (A)

Factor d’amplificació

beta igual fracció I subíndex C entre I subíndex B

IC = Intensitat de col·lector (A)

IB = Intensitat de base (A)

Guany

alfa igual fracció I subíndex normal C entre I subíndex normal B

β = Factor d’amplificador també hFE (-)

α = Guany de corrent (-)

Intensitat de col·lector

I subíndex normal C espai espai igual espai beta espai per espai I subíndex normal B

Potència dissipada en el transistor 

P subíndex normal T espai igual espai U subíndex CE espai per espai I subíndex C

PT = Potència dissipada en el transistor (W)

UCE = Tensió col·lector emissor (V)

Per la resolució dels circuits amb transistors s’ha de considerar les caigudes de tensió en les diferents branques del circuit.

U = Σ R·I

A la branca de R2

U = R2·IB + UBE + R3·IE

A la branca de R1

U = R1·IC + UCE + R3·IE

Si a més considerem

IC = β · IB

IE = IC + IB

Podrem solucionar totes les incògnites.

En el cas que l'emissor no tingui resistència. 

A la branca de R2

U = R2·IB + UBE 

 A la branca de R1

U = R1·IC + UCE 



Darrera modificació: dijous, 2 d’abril 2020, 09:46