Electrotècnia (Bloc 2) ~ gener 2020: Fórmules i conceptes | ioc-batx

Sistemes electrònics analògics

Díodes
Tensió llindar dels díodes	U_D ≈ 0,7 V (díodes de silici) U_D≈ 0,3 V (díodes de germani)	U_D = Caiguda de tensió quan el díode està conduint = polarització directa (V)
Tensió llindar dels díodes LED	U_D ≈ 1,5 a 2,5 V
Tensió llindar dels díodes Zener Tensió Zener	U_D ≈ 0,7 V U_Z = tensió segons la referència del díode	U_Z = Tensió del díode Zener quan està polaritzar inversament

Rectificador de mitja ona
Tensió eficaç de sortida	$U subíndex Oef igual fracció numerador U subíndex Imax menys U subíndex D entre denominador 2 fi fracció$	U_Oef= Tensió eficaç de sortida (V) U_Imàx = Tensió màxima d’entrada (V)
Tensió mitjana de sortida	$U subíndex Omitjana espai igual fracció numerador U subíndex Imà x fi subíndex menys U subíndex D entre denominador normal pi fi fracció$	U_Omitjana = Tensió mitjana de sortida (V)

Rectificador ona completa amb pont de díodes (Graetz)
Tensió eficaç de sortida	$U subíndex Oef igual fracció numerador U subíndex Imax menys 2 U subíndex normal D entre denominador arrel quadrada de 2 fi fracció$	Els rectificadors amb presa intermèdia solament restarem la tensió d’un díode
Tensió mitjana de sortida	$U subíndex Omijana igual fracció numerador 2 parèntesi esquerre U subíndex Imax menys 2 U normal D parèntesi dret entre denominador normal pi fi fracció$
En el dibuix del llibre hi ha un error en el sentit de circulació del corrent per la càrrega R_L en el semiperíode negatiu. Evidentment perquè la càrrega tingui un corrent continu sempre ha de circular en el mateix sentit tal com ho fa en aquesta imatge retocada.

Transistors
Tensió base emissor	$U subíndex BE espai quasi igual a espai 0 coma 7 espai V$	U_BE= Tensió base emissor (V) La mateixa que un díode
Tensió col·lector emissor en saturació	$U subíndex CEsat espai quasi igual a espai 0 coma 2 espai V$	U_CEsat= Tensió col·lector emissor en saturació (V)
Intensitat d’emissor	$I subíndex normal E espai igual espai I subíndex normal C espai més espai I subíndex normal B$	I_E = Intensitat d’emissor (A)
Factor d’amplificació	$beta igual fracció I subíndex C entre I subíndex B$	I_C = Intensitat de col·lector (A) I_B = Intensitat de base (A)
Guany	$alfa igual fracció I subíndex normal C entre I subíndex E$	β = Factor d’amplificador també h_FE(-) α = Guany de corrent (-)
Intensitat de col·lector	$I subíndex normal C espai espai igual espai beta espai per espai I subíndex normal B$
Potència dissipada en el transistor	$P subíndex normal T espai igual espai U subíndex CE espai per espai I subíndex C$	P_T = Potència dissipada en el transistor (W) U_CE= Tensió col·lector emissor (V)
Per la resolució dels circuits amb transistors s’ha de considerar les caigudes de tensió en les diferents branques del circuit. U = Σ R·I A la branca de R₂ U = R₂·I_B + U_BE + R₃·I_E A la branca de R1 U = R₁·I_C + U_CE + R₃·I_E Si a més considerem I_C = β · I_B I_E = I_C + I_B Podrem solucionar totes les incògnites.
En el cas que l'emissor no tingui resistència. A la branca de R₂ U = R₂·I_B + U_BE A la branca de R1 U = R₁·I_C + U_CE

Darrera modificació: divendres, 20 de setembre 2019, 10:14